ФАН подвергся DDoS-атаке. В настоящее время сайт работает в ограниченном режиме.

Ученые из Сибири случайно создали инновационный материал для электроники

Общество

Неудавшийся эксперимент обернулся созданием перспективного материала для производства электроники для российских ученых.

Красноярск, 25 августа. Неудавшийся эксперимент обернулся созданием перспективного материала для производства электроники для российских ученых.

Исследователи планировали получить чистый нитрид титана, однако ряд ошибок в проделанной работе не позволил им получить желаемый результат. Несмотря на неудачу в поставленной задаче, ученые случайно изобрели инновационный материал для производства электроники.

«Полученные результаты могут стать технологическим прорывом в разработке резисторов и транзисторов нового поколения», — заявили ученые.

Сопротивление полученного авторами работы легированного медью тонкопленочного оксинитрида титана в тысячу раз меньше, чем у классического титана. Эта особенность позволяет материалу обеспечить более качественный электрический контакт в микроэлектронных устройствах. Сотрудники Красноярского научного центра, Сибирского федерального университета и Сибирского государственного университета науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева принимали участие в работе.

Российские ученые придумали новый способ изучения поведения наночастиц в цитоплазме живых клеток. По мнению специалистов, открытие позволит заметно продвинуться в диагностике и терапии различных заболеваний.